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初步
EMC646SP16J
4Mx16的CellularRAM
图11 :配置寄存器写入,同步模式,其次是读阵列操作
CLK
锁存控制寄存器值
A[21:0]
(除A [ 19:18 ] )
操作码
t
SP
t
HD
锁存控制寄存器地址
地址
A[19:18]
2
t
SP
CRE
t
SP
ADV #
t
CBPH3
t
HD
地址
t
HD
t
CSP
CE#
OE #
t
SP
t
HD
WE#
LB # / UB #
t
CEW
等待
高-Z
高-Z
DQ [15:0 ]
数据
有效
不在乎
注意:
同步模式配置寄存器写入后读阵列操作1.非默认BCR设置:延迟
代码2 ( 3个时钟),等待低电平,等待延迟期间有效。
2. [ 19:18 ] = 00B加载RCR ,和10b加载BCR 。
3. CE #必须保持低电平,完成突发的一写操作。 WAIT必须监测;造成额外的刷新等待周期
碰撞所需要的额外的CE # LOW周期对应的次数。
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