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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
AC特性
T
ABLE
10 ： SST29EE010A
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
SST29EE010A-90
SST29EE010A-120
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址输出保持
变化
民
90
最大
90
90
40
民
120
最大
120
120
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
0
30
30
0
0
0
30
30
0
ns
ns
ns
303 PGM T10.0
T
ABLE
11 ： SST29LE010A
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
SST29LE010A-150
SST29LE010A-200
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
民
150
最大
150
150
60
民
200
最大
200
200
100
0
0
30
30
0
0
0
50
50
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
303 PGM T11.0
T
ABLE
12 ： SST29VE010A
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
SST29VE010A-200
SST29VE010A-250
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
民
200
最大
200
200
100
民
250
最大
250
250
120
0
0
50
50
0
0
0
50
50
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
303 PGM T12.0
1999硅存储技术公司
10
303-01 2/99
