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修订概要
版本E （ 1998年1月）
特色鲜明
改变了典型的读取和编程/擦除电流
特定连接的阳离子。
设备现在有最低保证续航能力
百万写周期。
注2 ，在最坏的情况下续航能力，现在百万
周期。
版本F（ 1999年1月）
全球
对于制程技术，以“ 0.32改变的引用
m.”
取代了70R ns的电压调节选项的速度
70 ns的全压速度选项。
在系统部门保护/撤消
算法图
纠正A6为0 ，改变等待规范150
对部门微秒保护和部门撤消15毫秒。
特色鲜明
新增了20年的数据保存子弹。
连接图
反向TSOP ：
修改标记。
FBGA ：
更换凹凸面（底部）视图顶部
视图。
DC特性
改变了典型的读取和编程/擦除电流
特定连接的阳离子。
AC特性
备用CE ＃控制的擦除/编程操作：
改变的吨
CP
到35纳秒为70R ， 80 ，和90速
选项。
订购信息
为FBGA封装的有效组合：
新表。
直流特性， CMOS兼容
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
, I
CC4
, I
CC5
：补充说明2 “最大
I
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
”.
I
CC3
, I
CC4
：删除V
CC
= V
CCmax
.
擦除和编程性能
设备现在有最低保证续航能力
百万写周期。
物理尺寸
纠正尺寸封装的长度和宽度
FBGA插图（独立数据表的版本） 。
物理尺寸
更改后的包图纸到FBB048 。
修订版F + 1 （ 1999年2月）
物理尺寸
在FBB048绘图纠正球栅布局。额外
“ 048 ”图纸标题。
版本E + 1 （ 1998年3月）
在系统部门保护/撤消
算法图
该部门保护算法，增加了一个“复位
PLSCNT = 1保护另一种“路径，从盒子”
部门？ “回到设定的下一个扇区地址。
修订版F + 2 （ 1999年2月）
特色鲜明，操作
范围
修正，以表明在V
CC
电压范围为
所有设备为2.7-3.6 V.
DC特性
改变的注1 ，以指示OE＃为在V
IH
对于
上市电流。
AC特性
擦除/编程操作;备用CE＃控制
擦除/编程操作：
更正的说明
对于T参考
WHWH1
和T
WHWH2
。这些参数
100％经过测试。校正注释引用
t
VCS
。这个参数不是100 ％测试。
修订版F + 3 （ 1999年7月2日）
全球
在已知添加引用到设备的可用性
好芯片（KGD ）的形式。
修订版F + 4 （ 1999年7月26日）
全球
加入70R速度选项，该选项可在
扩展级温度范围。
临时机构撤消表
在t补充说明参考
VIDR
。该参数不
100 ％测试。
图23 ，部门保护/撤消
时序图
不需要在第一写周期的有效地址;
只有数据为60h 。
擦除和编程性能
订购信息
从已删除的扩展级温度范围
FBGA有效组合。
G版（ 1999年11月10日）
订购信息
删除商用和工业温度
范围从70R速度选项。
Am29LV800B
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