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该器件具有一个
解锁绕道
模式的制造厂
itate更快的编程。一旦设备进入
解锁旁路模式，只有两个写周期
编程，而不是四个字或字节，必需的。
该“字/字节编程命令序列”
部分对编程数据的细节
使用标准和解锁绕道设备
命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。表2和表3表示的
每个扇区占据的地址空间。 A“部门
地址“包含所需的地址位
唯一选择一个部门。 “命令定义”
部分对擦除扇区或整个细节
芯片，或悬浮/恢复的擦除操作。
系统后写自选命令
序，器件进入自动选择模式。
然后，系统可以自动选择读取从码
内部寄存器（它是分开的存储器
阵列）上DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序
适用于这种模式。请参阅“自选模式”
和“自选命令序列”章节
更多的信息。
I
CC2
在DC特性表代表
有功电流特定网络连接的阳离子为写入模式。该
“AC特性”部分包含时序规格
化表和时序图写操作。
在DC特性表，我
CC3
我
CC4
表象
货物内待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。自动装置
使得当地址保持稳定为这种模式
t
加
+ 30纳秒。自动休眠模式是indepen-
凹陷的CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制信号。标
准地址访问时序提供了新的数据时，
地址被改变了。而在睡眠模式下，输出
数据被锁存并始终可用的系统。
I
CC4
在DC特性表代表
自动休眠模式电流规范。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供的硬件方法
该装置复位到读出阵列的数据。当
RESET ＃引脚被拉低了至少一个周期T
RP
,
设备
立即终止
任何操作
正在进行中，所有三态输出引脚，而忽略所有
阅读的RESET ＃持续时间/写命令
脉搏。该器件也复位内部状态
机读取阵列的数据。操作的
被中断，应重新开始一次设备
准备好接受另一个命令序列，以
确保数据的完整性。
电流减小为的RESET ＃持续时间
脉搏。当RESET ＃保持在V
SS
± 0.3 V时，器件
平CMOS待机电流（I
CC4
） 。如果RESET ＃是
在V举行
IL
但不是在V
SS
± 0.3 V ，待机
电流将更大。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位将因此还重新设置闪光
存储器，使系统能够读取开机
固件从闪存中。
如果RESET ＃是在编程或擦除断言
操作中， RY / BY＃引脚保持为“0” （忙），直到
内部复位操作完成，这
需要时间t的
准备
（在嵌入式Algo-
rithms ） 。因此，该系统可以监控RY / BY ＃为
决定了复位操作是否完成。如果
RESET＃是断言，当编程或擦除操作
灰不执行（ RY / BY ＃引脚为“1” ）时，复位
操作吨的时间内完成
准备
（不
在嵌入式算法） 。该系统可以读
数据T
RH
在RESET ＃引脚恢复到V后
IH
.
请参考RESET＃ AC特性表
参数和图14的时序图。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统
可以通过读取查询的操作的状态
在DQ7 - DQ0状态位。标准的读周期时序
我
CC
读取规格适用。请参阅“写
操作状态“的详细信息，并以” AC
特色“的时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入
装置，它可以将器件置于待机模式。
在这种模式下，电流消耗大大减少，
并输出被放置在高阻抗
国家，独立的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±
0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
的，但不
在V
CC
±
0.3 V时，该设备将处于待机
模式，但待机电流将更大。该
设备要求标准访问时间（t
CE
）读
访问时，该设备在任一这些备用的
模式，它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
输出禁止模式
12
Am29LV800B
