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dsPIC30F1010/202X
7.6
编程操作
4.
完整的编程过程是必要的
编程或擦除在RTSP内部闪存
模式。编程操作的标称值为2 ms
持续时间和处理器暂停（等待）直到操作
值，我们完成了。将WR位（ NVMCON<15> ）
开始操作，而WR位会自动
当操作完成清除。
写入数据的数据从32个指令字
RAM “形象”进入闪存程序存储器写
锁存器。
将32个指令字编入程序
闪光灯。
a）设置NVMCON寄存器进行多字，
闪存程序存储器，程序和设置WREN位。
b）将' 55'到NVMKEY 。
c）写'AA'到NVMKEY 。
d）将WR位。这将开始编程
周期。
E） CPU将停止该计划的持续时间
周期。
六） WR位由硬件清零
当编程周期结束。
根据需要计划重复步骤1到步骤5
闪存程序存储器的所需量。
5.
7.6.1
规划算法
节目FL灰
用户可以擦除和编程程序的一个排
闪速存储器的时间。一般过程如下：
1.
读取闪存程序存储器（ 32个指令一行
字）并保存到数据RAM作为数据
“形象” 。
更新与所需的新的图像数据
数据。
擦除闪存程序存储器的一行。
a）设置NVMCON寄存器进行多字，
程序闪存擦除，并将WREN位。
排二）写地址将要被擦除
NVMADRU / NVMDR 。
c）写' 55'到NVMKEY 。
D）写'AA'到NVMKEY 。
e）将WR位。这将开始擦除周期。
F） CPU将停止擦除的时间
周期。
G） WR位被清零时，擦除周期
结束。
6.
2.
3.
7.6.2
擦除程序一排
内存
实施例7-1示出了可以使用的代码序列
擦除程序存储器的一行（32条指令） 。
例7-1：
擦除程序存储器的一行
写
;对于擦除操作设置NVMCON ，多字
;程序存储器选择，并写入启用
MOV
#0x4041,W0
;
;
MOV
W0
,
NVMCON
;初始化指针行被擦除
MOV
#tblpage(PROG_ADDR),W0
;
;
MOV
W0
,
NVMADRU
MOV
#tbloffset(PROG_ADDR),W0
;
MOV
W0 ， NVMADR
;
DISI
#5
;
;
MOV
#0x55,W0
;
MOV
W0
,
NVMKEY
MOV
#0xAA,W1
;
;
MOV
W1
,
NVMKEY
BSET
NVMCON ， WR ＃
;
NOP
;
NOP
;
初始化NVMCON SFR
初始化PM页边界SFR
Intialize在页面EA<15 ： 0>指针
Intialize NVMADR SFR
阻断优先<7全部中断
对于未来5说明
写将0x55关键
写和0xAA关键
启动擦除序列
擦除后插入两条NOP
命令是断言
2006年Microchip的科技公司
初步
DS70178C第83页
