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CAT24WC66
64K位I
2
串行EEPROM部分阵列写保护
特点
400kHz的我
2
C总线
1.8V至5.5V电源电压范围
级联多达8个器件
32字节页写缓冲
自定时写周期自动清零
施密特触发器输入噪声保护
写保护
—
顶部1/4阵列在V保护时， WP
IH
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和汽车温度范围
RoHS兼容封装
描述
该CAT24WC66是一个64K位串行CMOS EEPROM
内部组织为每个8位8192字。
Catalyst的先进CMOS技术实质上
降低设备功耗的要求。该CAT24WC66
拥有一个32字节页写缓存。该装置
经由I操作
2
C总线串行接口，是
采用8引脚DIP或8引脚SOIC封装。
如需订购信息的详细信息，请参阅第12页。
引脚配置
DIP封装（ L）
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
SOIC封装（ W，X ）
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
功能符号
VCC
SCL
A2, A1, A0
WP
CAT24CW66
SDA
引脚功能
引脚名称
A0, A1, A2
SDA
SCL
WP
V
CC
V
SS
功能
器件地址输入
串行数据/地址
串行时钟
写保护
电源
地
VSS
* Catalyst半导体是由飞利浦公司获发牌进行
I2C总线协议。
2006 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1037修订版号
