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M29W400DT ， M29W400DB
概要说明
该M29W400D是4兆位（ 512KB ×8或256Kb的
×16）的非易失性存储器，可进行读取，擦除
和重新编程。这些操作可以per-
使用单一的低电压（2.7 3.6V ），形成
供应量。上电时，存储默认其
读取模式，其中它可以被读取以同样的方式
作为ROM或EPROM 。
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。
编程或擦除操作结束时可以
检测到任何错误情况确定。该
所需的指令集，以控制所述存储器是
符合JEDEC标准相一致。
在存储器中的块是不对称AR-
范围，参见图
6
和
7,
块地址。
第一个或最后一个64字节被分成
另外四个区块。 16 KB的引导块
可用于小的初始化代码开始
微处理器，两个8 KB的参数
块可用于存储参数和
剩下的32K是小主座，其中AP-
褶皱可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
存储在SO44 ， TSOP48提供（ 12×
20毫米） ， TFBGA48 0.8mm间距（ 6× 9毫米和6
x8mm ）封装。所述存储器与所有供给
擦除的位（设置为' 1'） 。
除了标准的版本中，包
也是无铅版本，在并发症
ANCE符合JEDEC标准J-STD- 020B标准的ECO- ST
PACK 7191395规范，并符合RoHS
（有害物质限制）指令。
所有封装均符合无铅可焊
荷兰国际集团的过程。
图2.逻辑图
VCC
18
A0-A17
W
E
G
RP
M29W400DT
M29W400DB
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VSS
AI06853
表1.信号名称
A0-A17
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
电源电压
地
在内部没有连接
5/38
