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MSP430C11x1 ， MSP430F11x1A
混合信号微控制器
SLAS241H - 1999年9月 - 修订2004年9月
电气特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气
温度（除非另有说明） （续）
FL灰内存
参数
VCC （ PGM /
擦除）
fFTG
IPGM
IERASE
TCPT
tCMErase
tRetention
tword
tBlock ， 0
tBlock ， 1-63
块，末端
tMass擦除
TSEG擦除
TEST
条件
VCC
民
喃
最大
单位
编程和擦除电压
闪存定时发生器频率
从VCC在程序的电源电流
从VCC擦除时电源电流
累计编程时间
累积质量擦除时间
编程/擦除次数
数据保存时间
字或字节编程时间
块编程时间第1个字节或字
阻止程序时，每增加一个字节或字
块编程末端序列等待时间
整体擦除时间
段擦除时间
见注3
TJ = 25°C
见注1
见注2
2.7 V/ 3.6 V
2.7 V/ 3.6 V
2.7 V/ 3.6 V
2.7 V/ 3.6 V
2.7
257
3
3
200
104
100
35
30
21
6
5297
4819
3.6
476
5
7
4
105
V
千赫
mA
mA
ms
ms
周期
岁月
tFTG
注： 1，累计编程时间不能写入64字节闪存块的时候超标。此参数适用于所有的编程
方法：个别字/字节写和块写入模式。
2.闪光灯定时发生器所产生的整体擦除持续时间至少为11.1ms （ = 5297x1 / fFTG ，上限= 5297x1 / 476kHz ） 。对
达到所要求的质量累计擦除时间闪存控制器的整体擦除操作可以反复进行，直到这个时候得到满足。
（需要19个周期最坏的情况下最小） 。
3，分别是硬连接至闪存控制器的状态机中（tFTG = 1 / fFTG ） 。
JTAG接口
参数
FTCK
RInternal
TCK输入频率
在测试内部下拉电阻
TEST
条件
见注1
见注2
VCC
2.2 V
3V
2.2 V/ 3 V
民
0
0
25
60
喃
最大
5
10
90
单位
兆赫
兆赫
k
注释：1.可限制fTCK以满足所选择的模块的时序要求。
2.测试下拉电阻在所有版本实现。
JTAG熔丝（见注1 ）
参数
VCC（ FB）的
VFB
IFB
TFB
在熔丝烧断条件电源电压
在测试熔丝烧断电压等级 - “ C11x1
在测试熔丝烧断电压等级 - “ F11x1A
电源电流到测试过程中熔丝熔断
时间吹保险丝
TEST
条件
TA = 25°C
VCC
民
2.5
3.5
6
3.9
7
100
1
喃
最大
单位
V
V
V
mA
ms
注： 1。一旦保险丝熔断，则不能继续使用的MSP430 JTAG /测试和仿真功能是可能的。该JTAG模块切换
到旁路模式。
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邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
