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概要说明
NAND256 -M ， NAND512 -M ， NAND01G -M
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概要说明
该NAND256 -M， NAND512 -M和NAND01G -M是多芯片封装相结合
高达512兆位LPSDRAM具有256兆比特， 512兆比特或1千兆位的NAND闪存存储器。这
LPSDRAM和NAND闪存的组合可导致高达1千兆位的存储器。
NAND闪存和LPSDRAM使用不同的电源和
理由。它们还具有单独的控制，地址和输入/输出信号，这允许
同时访问这两个设备在任何时刻。
它们的区别在于两个芯片使能输入：电子
F
对于NAND闪存和E
D
为LPSDRAM 。看
图1 ：逻辑图： NAND闪存& 1个SDR LPSDRAM
和
表2 ：信号名称： NAND闪存& 1个SDR LPSDRAM
为信号的概述
连接到每个组件。
该NAND256 -M， NAND512 -M和NAND01G -M可使用1.8或3V电压
供应量。看
表1 ：产品列表
对所提供产品的完整列表。
该器件提供了以下多芯片封装：
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TFBGA107 （ 10.5 ×13× 1.2毫米）
LFBGA137 （ 10.5 ×13× 1.4毫米）
TFBGA149 （ 10 X 13.5 X 1.2毫米）
TFBGA137 （ 10.5 ×13× 1.2毫米）
为了满足环保要求， ST提供的NAND256 -M ， NAND512 -M和
在ECOPACK NAND01G -M设备
封装。 ECOPACK封装是无铅的。该
第二级互连的类别标记在包装和内盒上的标签，
符合JEDEC标准JESD97 。有关焊接的最大额定值
条件也标志着内盒上的标签。 ECOPACK是ST的商标。
存储器被提供与所有擦除的NAND闪存存储器的位（设置为' 1'） 。
数据资料应一并阅读与NAND闪存和LPSDRAM
数据表。
NAND闪存组件
该NAND256 -M ， NAND512 - M和NAND01G - M器件包含一个1.8V ， 256 MB或512
兆比特， X8 528字节页或x16字264页， NAND闪存芯片使能
不在乎选项。
有关如何使用设备的详细信息，请参阅NANDxxx -A和
NAND01GWxA2B - KGD数据表。
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