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DC和AC参数
交流特性测量图13.等效测试电路
VDD
NAND01GWxA2B-KGD
2Rref
NAND闪存
CL
2Rref
GND
GND
Ai11085
表17 。
符号
I
DD1
I
DD2
I
DD3
I
DD4
I
DD5
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OL
（ RB）
V
LKO
DC特性
(1)
参数
顺序
读
节目
抹去
待机电流（ TTL ） ，
待机电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输入高电压
输入低电压
输出高电压电平
输出低电压电平
输出低电流（ RB）
V
DD
电源电压（擦除和
程序锁定）
测试条件
t
RLRL
最低
E = V
白细胞介素，
I
OUT
= 0毫安
-
-
E = V
IH
， WP = 0V / V
DD
E = V
DD
-0.2,
WP=0/V
DD
V
IN
= 0至V
DD
最大
V
OUT
= 0至V
DD
最大
-
-
I
OH
=
400
A
I
OL
= 2.1毫安
V
OL
= 0.4 V
-
民
-
-
-
-
-
-
-
0.8V
DD
0.3
2.4
-
8
-
典型值
10
10
10
-
20
-
-
-
-
-
-
10
-
1.7
最大
20
20
20
1
100
±10
±10
V
DD
+0.3
0.2V
DD
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
mA
V
操作
当前
1.漏电流增加一倍的堆叠装置。
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