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NAND01GW3A2B-KGD
NAND01GW4A2B-KGD
已知合格芯片， 1千兆（ ×8 / ×16 ） ，
528字节/ 264字页， 3 V ， NAND闪存
特点
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高密度NAND闪存
- 1千兆存储阵列
- 32 Mbit的备用区
- 成本效益的解决方案，海量存储
应用
NAND接口
- ×8或×16总线宽度
- 复用的地址/数据
- 适用于所有密度引脚兼容
电源电压：
- 3.0 V器件： V
DD
= 2.7 3.6 V
PAGE SIZE
- ×8的设备： （ 512 + 16备用）字节
- ×16器件： （ 256 + 8备用）字
BLOCK SIZE
- ×8的设备： （ 16 K + 512备用）字节
- ×16器件： （ 8 K + 256备用）字
PAGE读取/编程
- 随机访问： 15微秒（ 3 V） （最大）
- 顺序存取： 50纳秒（分钟）
- 页编程时间： 200微秒（典型值）
复制回编程模式
- 快速页复印，无需外部缓冲
快速块擦除
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）
状态寄存器
电子签名
芯片使能“不在乎”
- 简单的接口与微控制器
晶圆
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序列号选项
硬件数据保护
- 编程/擦除电期间锁定
TRANSITIONS
数据完整性
- 100,000编程/擦除周期（带ECC ）
- 数据保存10年
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2008年1月
REV 3
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www.numonyx.com
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