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P L I M I N A R
开关波形
数据轮询
地址
5555H
t
WC
WE
t
GHEL
OE
t
CP
CE
t
WS
数据
t
DS
5.0伏
20380B-26
PA
t
AS
t
AH
PA
t
WHWH1
5.0 V-仅限于Flash
t
CPH
t
DH
A0H
PD
DQ7
D
OUT
注意事项：
1. PA指的是存储单元的地址进行编程。
2. PD为数据在字节地址进行编程。
3. DQ7的是在设备中写入的数据的补码的输出。
4. D
OUT
是写入到设备中的数据的输出。
图5表示最后两个公交四总线周期序列的周期。
6.这些波形为x16模式。
图19 。
备用CE控制的程序操作时序
擦除和编程性能
范围
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
字编程时间
芯片编程时间
典型值（注1 ）
1.0
11
7
14
3.6
最大
8
88
300 （注3）
600
10.8 （注3,5）
单位
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
评论
排除00H编程前擦除
排除00H编程前擦除
不包括系统级的开销（注4 ）
不包括系统级的开销（注4 ）
不包括系统级的开销（注4 ）
注意事项：
1. 25
°
C， 5.0 V V
CC
， 10万次。
2.虽然嵌入式算法允许更长的芯片编程和擦除时间，实际时间会因为大大减少
字节的编程或擦除显着地比最坏情况下字节更快。
90 3.在最坏的情况
°
C， 4.5 V V
CC
， 10万次。
4.系统级开销德网络定义为执行方案所需的各四个总线周期指令所需要的时间
字节。在嵌入式擦除算法的预编程的步骤，所有字节擦除前编程为00H 。
5.嵌入式算法允许2.5毫秒字节编程时间。 DQ5 =“1”的一个字节需要的理论上的最大时间后才
进行编程。字节的最小数量，可能需要显着增加编程脉冲比典型的字节。多数
该字节将一个或两个脉冲内编程。这表现了典型和最大编程时间
上面列出。
Am29F400AT/Am29F400AB
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