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中文ê （E T）
擦除和编程性能
范围
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
字编程时间
芯片编程时间（注3 ）
典型值（注1 ）
1
5
7
12
1.8
300
500
5.4
最大值（注2）
8
单位
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
不包括系统级的开销
（注5 ）
评论
排除00H编程之前，
删除（注4 ）
注意事项：
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件： 25 ＆times; C ， 5.0 VV
CC
，百万个周期。另外，
编程标准结构假设棋盘图案。
为90℃ ，V 2，在最坏情况条件
CC
= 4.5 V (V
CC
= 4.75 V为± 5 ％的设备） ， 1,000,000次循环。
3.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多，因为大多数字节
程序比列出的最大字节编程时间快。
4.在嵌入式擦除算法的预编程步骤，所有字节擦除之前为00h 。
5.系统级开销是执行4总线周期指令序列进行编程所需的时间。见表1
有关命令定义的详细信息。
6.该器件具有1,000,000个周期的最低保证擦除和编程周期耐力。
闭锁特性
参数说明
输入电压相对于V
SS
所有的I / O引脚
V
CC
当前
注意：
包括除V所有引脚
CC
。测试条件： V
CC
= 5.0 V时，一个销的时间。
民
–1.0 V
-100毫安
最大
V
CC
+ 1.0 V
100毫安
TSOP和SO引脚电容
参数
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数说明
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值
6
8.5
8
最大
7.5
12
10
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.采样，而不是100 ％测试。
2.测试条件牛逼
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫。
数据保留
参数
最小模式数据保存时间
125°C
20
岁月
测试条件
150°C
民
10
单位
岁月
2006年11月1日21526D4
Am29F200B
35
