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D A T A
编程，否则可能由下列原因造成
在V系统杂散电平信号
CC
电和
省电转变，或者从系统的噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
，该设备不
接受任何写周期。这期间， V保护数据
CC
上电和断电。命令寄存器和
所有的内部编程/擦除电路都被禁止，而
设备重置。随后的写操作被忽略，直到V
CC
大于V
LKO
。该系统必须提供
正确的信号给控制引脚，以防止无意中
tional写道：当V
CC
大于V
LKO
.
中文ê （E T）
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）上的OE ＃ ， CE＃或噪声脉冲
WE＃不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE ＃任何一个抑制=
V
IL
，CE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要启动一个写周期，
CE＃和WE＃必须是逻辑零而OE＃是一个
逻辑之一。
上电时禁止写入
如果WE＃ = CE ＃ = V
IL
和OE ＃ = V
IH
上电时，该
设备不接受的上升沿命令
的WE＃ 。内部状态机自动为
重置为读出在上电时阵列的数据。
命令德网络nitions
写入特定的地址和数据的命令或
序列插入命令寄存器启动装置
操作。该命令定义表定义
有效的寄存器命令序列。写作
不正确
地址和数据值
或者将它们写在
不正确的序列
设备重置读书阵列
数据。
所有地址锁存WE＃的下降沿或
CE＃ ，以较迟者为准发生。所有的数据被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，发生者为准
第一。请参考相应的时序图
“AC特性”一节。
TER值，而读操作时序图显示
时序图。
复位命令
写复位命令到设备重置
设备读取阵列的数据。地址位不
关心这个命令。
reset命令可以写成的
在擦除命令序列序列周期
擦除开始之前。这将重置设备的阅读
阵列的数据。一旦擦除开始，然而，该装置
忽略重置命令，直到操作
完整的。
reset命令可以写成的
在程序命令序列顺序循环
节目开始之前。这将重置设备
读阵列数据（也适用于编程
擦除挂起模式） 。一旦程序开始，
然而，该设备忽略，直到复位命令
操作完成。
reset命令可以写成的
顺序循环中自动选择命令序列。
一旦在自选模式， reset命令
必须
被写入到返回读取阵列数据（也适用
擦除过程中自动选择暂停） 。
如果DQ5云在节目高或擦除操作，
写复位命令返回设备
读阵列数据（也适用杜尔ING删除
挂起） 。
读阵列数据
该装置会自动设置为读取阵列数据
之后器件上电。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列
完成一个嵌入式程序后，数据或
嵌入式擦除算法。
之后，该设备接受一个擦除挂起命令，
该设备进入擦除挂起模式。该
系统可以使用标准的读取读取阵列数据
定时，所不同的是，即使读取在内的地址
删除悬浮部门，设备输出状态
数据。在完成编程操作，在后
擦除挂起模式时，系统可能再次
用相同的异常读取阵列的数据。请参阅“删除
暂停/删除恢复命令“如需更多信息
息这一模式。
该系统
必须
发出复位命令来重新
启用该设备用于读取阵列数据，如果DQ5变
高时，或处于自动选择模式。请参阅“重设
命令“部分，接下来。
又见于“为读阵列数据要求”
“设备总线操作”一节以获取更多信息。
读操作表提供了读取参
自选命令序列
自选命令序列允许主机
系统访问的制造商，设备代码，
并确定一个扇区是否是受保护的。
该命令定义表显示的地址
和数据要求。此方法是一种替代
，在自动选择代码所示（高压
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Am29F200B
21526D4 2006年11月1日
