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D A T A
中文ê （E T）
DC特性
TTL / NMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
测试说明
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯， A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
20
30
0.4
–0.5
2.0
V
CC
= 5.25 V
I
OL
= 12 mA时， V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= V
CC
民
2.4
3.2
4.2
10.5
民
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
30
40
1.0
0.8
V
CC
+ 0.5
12.5
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
CC
读操作工作电流（注
1, 2)
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
主动写（编程/擦除）
电流（注
2, 3, 4)
V
CC
待机电流（注
2)
输入低电平
输入高电平
电压自动选择
和部门保护
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
IH
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
低V
CC
锁定电压
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
读操作工作电流
（注
1, 2)
V
CC
主动编程/擦除电流
（注
2, 3, 4)
V
CC
待机电流（注
2, 5)
输入低电平
输入高电平
电压自动选择和部门
保护
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.25 V
I
OL
= 12.0毫安，V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= V
CC
民
I
OH
= –100
μA,
V
CC
= V
CC
民
0.85 V
CC
V
CC
–0.4
3.2
4.2
测试说明
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯， A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃
=
V
IL
， OE ＃
= VIH
CE＃ = V
CC
± 0.5 V
–0.5
0.7× V
CC
10.5
20
30
1
民
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
30
40
5
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
A
V
V
V
V
V
V
V
直流特性笔记（表） ：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（ 6兆赫）的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
.
3. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
4.未经100％测试。
5.对于只有CMOS模式下，我
CC3
=在扩展温度范围20 μA最大值（大于+ 85°C ） 。
2006年11月1日21445E5
Am29F040B
19
