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DC特性
TTL / NMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
测试说明
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯, A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
20
30
0.4
–0.5
2.0
V
CC
= 5.25 V
I
OL
= 12 mA时, V
CC
= V
CC
I
OH
= -2.5毫安,V
CC
= V
CC
2.4
3.2
4.2
10.5
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
30
40
1.0
0.8
V
CC
+ 0.5
12.5
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
CC
读操作工作电流(注1,2 ) CE # = V
IL
, OE # = V
IH
V
CC
主动写(编程/擦除)
电流(注2,3, 4)
V
CC
待机电流(注2 )
输入低电平
输入高电平
电压自动选择
和部门保护
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
CE# = V
IL
, OE # = V
IH
CE# = V
IH
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
低V
CC
锁定电压
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
读操作工作电流
(注1,2 )
V
CC
主动编程/擦除电流
(注2,3, 4)
V
CC
待机电流(注2,5)
输入低电平
输入高电平
电压自动选择和部门
保护
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.25 V
I
OL
= 12.0毫安,V
CC
= V
CC
I
OH
= -2.5毫安,V
CC
= V
CC
I
OH
= –100
A,
V
CC
= V
CC
0.85 V
CC
V
CC
–0.4
3.2
4.2
测试说明
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯, A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
CE# = V
IL
, OE # = V
IH
CE#
=
V
IL
, OE #
= VIH
CE# = V
CC
± 0.5 V
–0.5
0.7× V
CC
10.5
20
30
1
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
30
40
5
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
A
V
V
V
V
V
V
V
直流特性笔记(表) :
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和( 6兆赫)的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫,使用OE #在V
IH
.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
.
3. I
CC
积极而嵌入算法(编程或擦除)正在进行中。
4.未经100%测试。
5.对于只有CMOS模式下,我
CC3
=在扩展温度范围20 μA最大值(大于+ 85°C ) 。
20
Am29F040B

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