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PSD835G2
具体特点
闪存扇区保护
各中小学闪存部门
可以单独保护，防止计划和
擦除周期。扇区保护提供加成
人数据的安全性，因为它会禁用所有程序或
擦除周期。这种方式可以通过激活
在JTAG / ISP端口或器件编程器。
扇区保护可被选择用于每一个扇区
使用PSDsoft中的程序。这会自动
可以保护某些部门时，该设备是亲
通过JTAG端口或设备编程亲
语法。快闪存储器扇区可以
未受保护的，以允许它们的内容更新US-
荷兰国际集团的JTAG端口或器件编程器。该
MCU可以读（但不能更改）部门亲
tection位。
任何企图进行编程或擦除受保护的Flash
存储器扇区被设备忽略。验证
运算结果中的受保护数据的读入。
的保护状态的保持是这样恩
sured 。
该部门保护状态可通过读取
MCU通过初级和次级的Flash
内存保护寄存器（在CSIOP块）。
SEE
表18 ，第21页
和
表19 ，第22页。
重设闪存
复位闪光指令由一个
写周期（见
表28 ，第27页） 。
它也可以
任选地被前面的两个标准
写的解码周期（写入AAH到AAAH和
将55h 554h ） 。
它必须经被执行：
- 读取闪存保护状态或Flash ID
使用Flash指令。
- 发生了错误条件（与设备
曾在一个设定错误标志位（ DQ5 ）为'1' ）
闪存编程或擦除周期。
复位闪光指令使闪存memo-
RY回到正常的读立刻模式。如果一个
发生错误条件（与该设备具有
设置错误标志位（ DQ5 ）为“1” ）的闪存存储器
储器被放回到内正常读模式
25
s
复位的已闪光指令
发行。复位闪光指令被忽略
当一个程序或批量擦除过程中，它发出
闪存的周期。复位闪存IN-
梁支中止所有正在进行的扇区擦除周期，
并返回该闪存存储器的正常读
在25μs内模式。
复位（ RESET ）信号
上电复位（ RESET ）的脉冲中止任何周期是
正在进行中，并重置闪存的
读取模式。当复位过程中发生亲
克或擦除周期，闪存占用
25
s
返回到读模式。这是中建议
谁料，该复位（ RESET ）脉冲（除
在所描述的
上电复位，第74页）
至少为25
s
从而使闪存是AL-
如何准备好了单片机读取引导IN-
structions复位周期完成之后。
SRAM
SRAM被启用时， SRAM选择（ RS0 ）
从DPLD为高。 SRAM选择（ RS0 ）可以
包含多达三个产品而言，允许灵活
内存映射。
对SRAM可以使用外部备份
电池。外接电池应连接
电压待机（V
STBY
， PE6 ） 。如果你有一个
连接到PSD外接电池，犯人
SRAM的内容被保留在一个事件
功率损耗。 SRAM的内容再
tained ，只要该电池的电压保持在
2伏或更高。如果电源电压下降到低于
电池电压，内部电源切换到
电池发生。
PE7可以被配置为输出用于指示
当电源正在从外部BAT-绘制
tery 。电池指示灯（V
BATON
， PE7 ）是高
当电源电压下降的电池下面
电压和电压的电池待机
(V
STBY
， PE6 ）的电能提供给内部
SRAM 。
SRAM选择（ RS0 ） ，电压待机（V
STBY
,
PC2 ）和电池指示灯（V
BATON
， PC4 ）是
全部采用PSDsoft中快速组态配置
化。
SRAM的选择（ RS0 ） ，V
BATON
和V
STBY
是
所有使用PSDsoft中进行配置。
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