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说明
PSD835G2V
7.2
读
在典型的情况下， MCU可以读取主闪存存储器或二次
快闪记忆体使用读操作，就像它的ROM和RAM器件。交替地，在
MCU可以使用读操作来获取有关编程或擦除周期的状态信息
这是目前正在进行中。最后， MCU可以使用指令来读取特定的数据
这些存储器块。以下各节描述了这些读功能。
7.3
读存储器内容
主闪存和第二Flash存储器被放置在读模式后
上电时，芯片复位，或者复位闪光指令（见表
28).
MCU可以读取
主闪存存储器或二次闪存存储器使用的存储内容
读操作的任何时候读取操作是不是指令的一部分。
7.4
读小学的Flash标识
主要的闪存标识符读取与4操作组成的指令： 3
具体的写操作和读操作（见表
28).
的标识符的设备
是E8H 。
7.5
读存储器扇区保护状态
主要的闪存扇区保护状态被读取组成的指令
4操作： 3的具体执行写操作和读操作（见表
28).
读
操作产生01H如果Flash存储器扇区被保护，或为00h如果该扇区是不
受保护的。
所有NVM块的扇区保护状态（主闪存或闪存中学
内存），也可以通过访问保护的Flash和Flash引导单片机的读
保护寄存器PSD I / O空间。看
闪存扇区保护第43页，
为
登记日网络nitions 。
7.6
阅读擦除/编程状态位
将PSD提供了几个状态位要使用由MCU确认完成的
擦除或Flash存储器编程周期。这些状态位的时间减少了MCU
花费在执行这些任务，并在表中定义
29.
状态位可以理解为
根据需要多次。
对于闪存存储器中，MCU可以执行一个读操作，以获得这些状态位，而
擦除或编程指令正在被嵌入的算法执行。看
第37页上的编程闪存，
了解详细信息。
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