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LHF32FB8
4
表1.引脚说明
符号
A
0
-A
20
TYPE
输入
输入/
产量
名称和功能
地址输入：输入的地址。 32M ：一
0
-A
20
数据输入/输出：输入数据和命令崔期间（命令用户
接口）存储阵列，状态寄存器，查询码在写周期，数据输出，
识别码和分区配置寄存器代码读取。数据引脚浮到高
阻抗（High Z）时，芯片或输出被取消。数据在内部锁存
在擦除或编程周期。
CHIP ENABLE ：激活设备的控制逻辑，输入缓冲器，解码器和感
放大器。 CE＃ - 高（V
IH
）取消选择该设备，并降低功耗
待机水平。
RESET ：低电平时（V
IL
） ， RST ＃复位内部自动化和禁止写入操作
它提供数据保护。 RST ＃ - 高（V
IH
）能够进行正常操作。后
上电或复位模式中，该设备将自动设置为读阵列模式。 RST ＃必须
是在上电/下低。
OUTPUT ENABLE ：盖茨设备的输出在读周期。
写使能：控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁存CE ＃或WE ＃ （取变高第）的上升沿。
写入保护功能：当WP ＃为V
IL
，锁定的块不能被解锁。抹去
或编程操作可以被执行到未锁定和未locked-块
下来。当WP ＃为V
IH
，锁定下被禁用。
DQ
0
-DQ
15
CE＃
输入
RST ＃
输入
OE ＃
WE＃
WP ＃
输入
输入
输入
RY / BY ＃
READY / BUSY ＃ ：指示内部WSM的状态（写状态机） 。当
低， WSM正在执行内部操作（块擦除，整片擦除， （页面缓存）
漏极开路
程序或OTP程序） 。 RY / BY ＃ - 高Z为使WSM准备新
产量
命令，块擦除暂停（页面缓冲）计划是无效的， （页面缓存）
程序暂停时，或者在设备处于复位模式。
监测电源电压： V
PP
不用于电源引脚。
随着V
PP
≤V
PPLK
，块擦除，整片擦除， （页面缓存）程序或OTP程序
不能被执行，并且不应该被尝试。
采用12V ± 0.3V至V
PP
提供快速擦除或快速编程模式。在这
模式下，V
PP
是电源引脚。采用12V ± 0.3V至V
PP
在擦除/编程即可
只能最多1,000次循环的每个块上进行。 V
PP
可以被连接到
12V ± 0.3V ，总共最多80小时。使用该引脚的电压为12V超越这些极限
可以减少块循环能力或造成永久性的损害。
器件电源（ 2.7V - 3.6V ） ：用v
CC
≤V
LKO
，所有写尝试的
闪存被禁止。在无效的V器件业务
CC
电压（见DC
特性）产生虚假的结果，不应试图。
输入/输出电源（ 2.7V - 3.6V ）电源为所有的输入/输出
销。
地面：不要任何浮动接地引脚。
V
PP
输入
V
CC
V
CCQ
GND
供应
供应
供应
修订版2.44
