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SN65LVDS250
SN65LVDT250
SLLS594B - 2004年3月 - 修订2004年10月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
逻辑图
S10 - S41
8
1DE
1A
1B
1Y
1Z
2DE
2A
2B
4X4
MUX
2Y
2Z
3DE
3Y
3Z
4DE
4A
4B
4Y
4Z
3A
3B
集成终端上的LVDT只有
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