
SN74AUP1G17
低功耗,单施密特触发器缓冲器
SCES579C - 2004年6月 - 修订2005年11月
描述/订购信息(续)
该设备作为一个独立的门与施密特触发器输入,允许慢速输入转换
和更好的开关噪声免疫力的输入。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
订购信息
TA
包装
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
-40 ° C至85°C
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
订购
产品型号
SN74AUP1G17YEPR
3000卷
SN74AUP1G17YZPR
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
SN74AUP1G17DBVR
SN74AUP1G17DBVT
SN74AUP1G17DCKR
SN74AUP1G17DCKT
SN74AUP1G17DRLR
TOP- SIDE
标记
_ _ _H7_
H17_
H7_
H7_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP :实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年,月,和序列码,和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成
(1 =锡铅,
=无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
H
L
逻辑图(正逻辑)
2
A
4
Y
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265