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MSP430C11x1 ， MSP430F11x1A
混合信号微控制器
SLAS241H - 1999年9月 - 修订2004年9月
电气特性在推荐的电源电压范围和工作的自由空气
温度（除非另有说明） （续）
可选的电阻器，分别与ROM代码编程（见注1 ）
参数
R(opt1)
R(opt2)
R(opt3)
R(opt4)
R(opt5)
R(opt6)
R(opt7)
R(opt8)
R(opt9)
R(opt10)
电阻器，分别与ROM代码编程，所有的端口引脚，
适用于下拉和上拉电阻值
VCC = 2.2 V / 3 V
测试条件
民
2.5
3.8
7.6
11.5
23
46
70
115
160
205
典型值
5
7.7
15
23
45
90
140
230
320
420
最大
10
15
31
46
90
180
280
460
640
830
单位
k
k
k
k
k
k
k
k
k
k
注1 ：可选电阻Roptx的下拉或上拉是不是在标准闪存设备MSP430F11x1A可用。
唤醒从低功耗模式（ LPMx ）
参数
t(LPM0)
t(LPM2)
t(LPM3)
测试条件
VCC = 2.2 V / 3 V
VCC = 2.2 V / 3 V
F（ MCLK） = 1兆赫，
F（ MCLK） = 2兆赫，
F（ MCLK） = 3兆赫
F（ MCLK） = 1兆赫，
F（ MCLK） = 2兆赫，
VCC = 2.2 V / 3 V
VCC = 2.2 V / 3 V
VCC = 2.2 V / 3 V
VCC = 2.2 V / 3 V
VCC = 2.2 V / 3 V
VCC = 2.2 V / 3 V
民
典型值
100
100
6
6
6
6
6
6
s
s
ns
最大
单位
延迟时间（见注1 ）
t(LPM4)
F（ MCLK） = 3兆赫
注1 ：只适用DCOCLK用于MCLK参数。
内存
参数
民
喃
最大
单位
V（ RAMH ）
CPU暂停（见注1 ）
1.6
V
注1 ：此参数定义的最小电源电压VCC时，程序存储器RAM中的数据保持不变。没有程序
要执行此过程中电源电压条件下。
18
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
