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TMS28F004Axy ， TMS28F400Axy
524288 ×8位/ 262144 ×16位
自动选择引导块闪存
SMJS829A - 1996年1月 - 修订1997年8月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
524 288由8位
262 144 16位
阵列阻断架构
- 一个16K字节的受保护的引导块
- 两个8K字节的参数块
- 一个96K字节的主座
- 三128K字节的主块
- 顶部或底部启动位置
“ 28F400Axy提供用户定义的8位
（字节）或16位（字）组织
“ 28F004Axy仅提供8位
组织
最高访问/最小周期时间
- 商业和扩展
5-V V
CC
±
10%
3.3-V V
CC
±
0.3 V
“ 28F400Axy60 60 ns的110纳秒
“ 28F400Axy70 70纳秒为130ns
“ 28F400Axy80 80 ns的150纳秒
- 汽车（供只有5 - V V
CC
电压配置）
5-V V
CC
±
10%
“ 28F400Axy70 70纳秒
“ 28F400Axy80 80纳秒
“ 28F400Axy90 90纳秒
（ X = S，E ， F，M或Z根据V
CC
/ V
PP
配置）
（Y = T或B的顶部或底部引导块
配置）
100 000 10 000编程/擦除周期
版本
三种温度范围
- 商业。 。 。 0 ° C至70℃
- 扩展。 。 。 - 40 ° C至85°C
- 汽车。 。 。 - 40 ° C至125°C
工业标准封装可供选择的
- 40引脚TSOP （ DCD后缀）
- 44引脚PSOP （ DBJ后缀）
- 48引脚TSOP （ DCD后缀）
低功耗（V
CC
= 5.5 V )
- 主动写。 。 。 248毫瓦（字节写入）
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦（字节读）
- 主动写。 。 。 248毫瓦（字写）
- 主动阅读。 。 。 330毫瓦（字读）
- 块擦除。 。 。 165毫瓦
- 待机。 。 。 0.72毫瓦（ CMOS输入
级别）
组织。 。 。
DBJ包装
（顶视图）
V
PP
DU / WP
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
V
SS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
PIN NOMENCLATURE
A0 – A17
字节
DQ0 - DQ14
DQ15 / A -1
E
G
NC
RP
VCC
VPP
VSS
W
DU / WP
地址输入
字节使能
输入/输出数据
数据输入/输出（字宽模式） ，
低位地址（字节宽的模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
复位/深度掉电
电源
电源的编程/擦除
地
写使能
不要使用“艾米或' AZY /写保护
D
D
D
D
D
完全自动化的片擦除和
字/字节编程操作
写保护的引导块
行业标准的命令状态机
（ CSM ）
擦除暂停/恢复
- 算法选择标识
供应三种不同的组合
电压参团
所有输入/输出TTL兼容
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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