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M29W800AT ， M29W800AB
块地址可以随后被写入到
擦除其它块并行地，不经进一步编码
版次。擦除后擦除将启动时序
EOUT期间（见擦除定时器位DQ3说明） 。
因此，对其它的额外的擦除确认命令
呃块必须在此时间后给出。输入
一个新的擦除确认命令，将重新启动
超时时间。内部定时器的状态可以
通过DQ3的电平进行监视，如果DQ3是'0'
块擦除命令已给出，
超时运行过程中，如果DQ3是'1' ，则超时了
过期和P / E.C 。被擦除的块（多个） 。如果
给出的第二个命令是不是一个擦除CON-
公司或者编码周期是错误的，该指令
化中止，设备复位到读阵列。
这是没有必要的编程值为00h的块
如在P / E.C 。会前，自动做到这一点
擦除到FFH 。第六利培后读操作
W或ê输出状态寄存器状态的边沿
位。
在擦除的由P / E.C的执行。 ，
内存只接受擦除挂起ES
指令。数据轮询位DQ7返回' 0 '，而
在擦除过程中和'1'时，它具有的COM
pleted 。在切换过程中位DQ2和DQ6切换
擦除操作。他们停止时擦除的COM -
pleted 。完成状态寄存器位之后
DQ5返回“1” ，如果出现了一个擦除失败。
在这种情况下，该切换位DQ2可以
用于确定哪个块是不正确地
删除。在擦除失败，读的情况下， /复位
RD指令是必要的，以便重新设定的P /
E.C.
芯片擦除（ CE ）指令。
这
指令
使用六个写周期。擦除设置命令
80H被写入到字节宽的地址AAAH
配置或在字处理地址555H
两人之后的第三个周期范围内的配置
编码周期。芯片擦除确认命令
10H同样写在第六个周期后AN-
其他两个编码周期。如果第二指令
定是不是擦除确认或者如果编码赛扬
克莱斯是错误的，该指令将中止与DE-
副复位到读阵列。它是没有必要
首先作为P / E.C编程与00H的数组。将
它删除到FFH之前自动执行此操作。
之后W的第六个上升沿读操作或
输出状态寄存器的位。在exe-
擦除的P / EC的cution ，数据轮询位
DQ7返回' 0 '，那么'1'上完成。该切换
位DQ2和DQ6触发擦除操作过程中
和停止时擦除完毕。完井后
DQ5返回“1” ，如果化的状态寄存器位有
一直是擦除失败。
擦除挂起（ ES ）指令。
该
块
擦除操作可以通过这个IN-暂停
梁支它由写入命令的
B0H没有任何特定的地址。无码赛扬
克莱斯是必需的。它允许数据的读出，从
另一个块和编程在另一个块
而在擦除操作正在进行中。擦除可持
挂起的块擦除IN-期间只接受
梁支执行。在写这个命令
擦除超时意愿，除了悬浮
擦除，终止超时。切换位DQ6
停止切换时的P / E.C 。被暂停。该
触发位将停止为0.1μs之间切换
为15μs擦除后挂起（ ES ）命令
被写入。然后设备会自动
设置为只读存储器阵列模式。当擦除
暂停，从块读被擦除会
输出DQ2翻转，DQ6 “1” 。 A读的
块不被擦除回报的有效数据。中
悬挂的内存只会给回应
删除恢复ER和程序指令PG
系统蒸发散。在编程操作过程中可启动
擦除挂起中的一个块不被
删除。这将导致两个DQ2和DQ6的肘节
当数据正被编程。
删除恢复（ ER ）指令。
如果擦除
暂停指令之前执行的是，在
擦除操作可以通过给恢复
命令30h中，在任何地址，并且没有任何
编码周期。
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