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M29W800AT
M29W800AB
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块）
低压单电源闪存
功能摘要
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2.7V至3.6V电源电压
编程，擦除和读取
操作
存取时间： 80ns的
编程时间： 10μs的典型
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
- 程序逐字节或字的字
- 状态寄存器的位和就绪/忙
产量
安全保护存储区
指令地址编码： 3个数字
内存块
- 引导块（顶部或底部的位置）
- 参数及主要街区
块，多块和芯片擦除
多块保护/ TEMPORARY
解除保护模式
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M29W800AT ： D7H
- 底设备代码， M29W800AB ： 5BH
图1.套餐
FBGA
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
TFBGA48 （ZA）
8×6的焊锡球
SO44 （M）的
图2.逻辑图
VCC
19
A0-A18
W
E
G
RP
M29W800AT
M29W800AB
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VSS
AI02599
2004年3月
1/40
