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快速
4K ×8双端口
静态SRAM
特点
高速存取
- 军事:三十五分之二十五/ 45/ 55 / 70ns的(最大)
??工业: 55ns (最大)
- 商业: 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的(最大)
低功耗工作
- IDT7134SA
主动:为700mW (典型值)。
待机: 5毫瓦(典型值)。
- IDT7134LA
主动:为700mW (典型值)。
待机:为1mW (典型值)。
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作? 2V数据保留
TTL兼容;单5V ( ± 10 % )电源
可提供48引脚DIP , LCC ,扁平封装和52引脚PLCC
军工产品符合MIL -PRF- 38535 QML
工业级温度范围(-40 ° C至+ 85°C )可用于
选定速度
IDT7134SA/LA
描述
x
x
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x
x
的IDT7134的是一个高速4K ×8双端口静态RAM
设计的系统中使用,其中片上硬件端口仲裁
是不需要的。这部分适合于那些系统,不能
忍受的等待状态或者被设计为能够从外部进行仲裁或
承受争用时,两侧同时访问
同样的双端口RAM的位置。
该IDT7134提供了独立控制两个独立的端口,
地址,和I / O引脚,其允许独立的,异步访问
用于读或写操作的任何位置在存储器中。它是用户?责任
以确保数据的完整性,当同时访问同一
从两个端口存储器位置。自动断电功能,
通过控制
CE,
允许执行片上的电路的每个端口的输入
极低的待机功耗模式。
采用IDT ?的CMOS高性能技术制造,这些
双端口通常对功耗仅为700mW的运行。低功耗( LA )
版本提供电池备份的数据保持能力,与每个端口
通常从2V的电池消耗200μW 。
该IDT7134包装上无论是sidebraze或塑料48针
DIP ,48引脚LCC , 52引脚PLCC和48引脚扁平封装。军工级
产品制造符合MIL-的最新版本
PRF- 38535 QML ,使得它非常适合于军用温度
要求苛刻的应用程序的性能和可靠性的最高水平。
功能框图
读/写
L
CE
L
读/写
R
CE
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
7L
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
OE
R
I / O
0R
- I / O
7R
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
右侧
地址
解码
逻辑
A
0R
- A
11R
2720 DRW 01
1999年6月
1
DSC-2720/9
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