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MBM29DL800TA
-70/90
/MBM29DL800BA
-70/90
当擦除挂起命令的扇区擦除操作期间写入，该设备将最大
20
s
暂停擦除操作。当设备已进入擦除暂停模式时， RY /
按输出引脚将处于高阻和DQ
7
位将处于逻辑“1” ，和DQ
6
将停止切换。用户必须使用
擦除扇区的读取DQ地址
6
和DQ
7
以确定是否擦除操作已
暂停。擦除挂起命令的进一步写入被忽略。
当擦除操作已被暂停，设备默认为擦除暂停阅读的模式。阅读
在这种模式下的数据是一样的标准读模式读取所不同的是，数据必须被读出
行业还没有被擦除暂停。从擦除悬浮部门先后读书，而
装置处于擦除暂停读模式将导致DQ
2
切换。 （见DQ节
2
.)
进入后擦除暂停读模式中，用户可以通过写入适当的编程设备
对于程序的命令序列。这个程序模式被称为擦除挂起程序模式。同样，
在这种模式下编程是一样的节目在常规程序模式不同的是，数据必须
进行编程，以部门未擦除暂停。从擦除悬浮部门先后阅读
而设备在擦除暂停程序模式会导致DQ
2
切换。在使用擦除的结束
由RY / BY检测输出引脚， DQ的数据轮询暂停程序运行
7
或者通过切换位I
（ DQ
6
），这是一样的正规程序操作。需要注意的是DQ
7
必须从程序地址读
而DQ
6
可以从银行的任何地址进行读取被擦除暂停。
要恢复扇区擦除的操作，继续命令（30H ） ，应书面向银行存在擦除
暂停。 Resume命令在这一点上的任何进一步的写操作将被忽略。另一个擦除挂起
命令可以写成后，芯片已恢复擦除。
扩展命令
（ 1 ）快速模式
MBM29DL800TA / BA具有快速模式功能。此模式省去了初始2 unclock周期
通过编写快速模式命令进入命令所需的标准程序命令序列
注册。在这种模式下，所需的总线周期的编程是两个周期，而不是在4个总线周期
标准程序命令。 （不要写在此模式下擦除命令。 ）也执行读操作
后退出此模式。要退出该模式下，有必要写快速模式复位命令到命令
注册。在第一周期中必须包含的存储单元地址。 （请参阅“ （ 8 ）嵌入式程序
TM
算法
在快速模式“
sFlow的
图表扩展算法）的V
CC
有功电流是必需的，即使CE = V
IH
中
快速模式。
（ 2 ）快速编程
在快速模式中，编程可以与两个总线周期的操作被执行。嵌入式程序
算法是通过编写程序建立命令（ A0H ）和数据写入周期（ PA / PD ）执行。 （参考
“ （ 8 ）嵌入式程序
TM
算法在快速模式“
sFlow的
图表扩展算法）。
（ 3 ）扩展扇区保护
除了正常的扇区保护功能， MBM29DL800TA / BA已经扩展扇区保护延展
功能。此功能允许通过迫使V保护部门
ID
在RESET引脚和写commnad序列。
不同于传统的过程，它是没有必要强制V
ID
和控制时序控制引脚。唯一
RESET引脚需要V
ID
用于扇区保护在此模式。扩展行业保护要求V
ID
上电复位
引脚。以这种状态下，通过写入所述的建立命令（ 60H ） ，变成命令启动操作
注册。然后，扇区地址引脚（A
18
, A
17
, A
16
, A
15
, A
14
, A
13
AND A
12
）和（A
6
, A
1
, A
0
）=（ 0，1， 0）应
被设置为要被保护的扇区（推荐设定V
IL
对于其他的地址引脚） ，而写入扩展
部门保护命令（ 60H ） 。扇区通常是在保护250
s.
要验证的编程
保护电路，扇区地址引脚（A
18
, A
17
, A
16
, A
15
, A
14
, A
13
AND A
12
）和（A
6
, A
1
, A
0
) = (0, 1, 0)
应设置写命令（ 40H ） 。下面的命令写入，逻辑“ 1 ” ，在器件输出DQ
0
将产生用于在读操作中受保护的扇区。如果输出数据为逻辑“0” ，请重复写
扩展行业保护命令（ 60H ）一次。终止操作中，有必要设置复位引脚
到V
IH
.
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