位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第92页 > MBM29LV400BC-55PBT > MBM29LV400BC-55PBT PDF资料 > MBM29LV400BC-55PBT PDF资料2第24页
MBM29LV400TC
-55/70/90
/MBM29LV400BC
-55/70/90
16字节/字配置
BYTE引脚选择字节（ 8位）模式或字（16位）模式的MBM29LV400TC / BC设备。当
该引脚驱动为高电平时，器件的字（16位）模式下运行。的数据被读出并在DQ的编程
0
到DQ
15
。当该引脚为低电平时，器件工作在字节（ 8位）模式。在这种模式下，为DQ
15
/A
-1
针
成为最低地址位和DQ
8
到DQ
14
位处于三态。但是，命令总线周期始终
一个8位的操作，因此命令被写在DQ
0
到DQ
7
和DQ
8
到DQ
15
位被忽略。参考
到“10 。时序图的Word模式配置“和” 11 。时序图的字节模式配置“
和“12 。 BYTE时序图中的写操作“
sTIMING
框图的时序图。
17.数据保护
该MBM29LV400TC / BC旨在提供保护，防止意外删除或编程造成的
通过系统杂散电平信号，可能会在电源转换存在。上电时器件
自动复位内部状态机在读取模式。另外，对于其控制寄存器结构，
改变的存储器中的内容仅发生成功完成的具体的多总线循环命令后
序列。
该器件还集成了多项功能以防止生成的表单V无意中写周期
CC
上电
和断电转换或系统噪声。
18.低V
CC
写禁止
以避免在V的写周期开始
CC
上电和断电，写周期被锁定为V
CC
少
超过2.3 V （典型2.4 V ） 。如果V
CC
＆ LT ; V
LKO
，命令寄存器被禁止，所有内部程序/擦除电路
被禁用。在此条件下的器件将复位到读模式。后续写入将被忽略，直到
在V
CC
电平大于V
LKO
。这是用户的责任，以确保控制引脚在逻辑上是正确的
当防止无意识V
CC
高于2.3 V.
如果嵌入式擦除算法被中断时，有可能在擦除扇区（多个）不能使用。
19.写脉冲“毛刺”保护
不到3纳秒（典型值）的OE脉冲噪声，CE ，否则我们将不会启动写周期。
20.禁止逻辑
写作是由持有OE = V任何一个抑制
IL
，CE = V
IH
，或者我们= V
IH
。要启动一个写周期CE和WE
必须是逻辑零，而OE是一个逻辑1 。
21.加电写禁止
上电设备的用WE = CE = V
IL
和OE = V
IH
将不接受WE的上升沿命令。
内部状态机自动复位到上电时读取模式。
22.扇区保护
设备用户能够单独保护每个扇区存储和保护数据。保护电路既空洞
编程和擦除寻址到保护部门的命令。
任何命令进行编程或擦除处理受保护的部门都被忽略（参见“行业保护”的
s
功能描述） 。
24
