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MBM29LV400TC
-55/70/90
/MBM29LV400BC
-55/70/90
在自动编程操作完成时， DQ上的数据
7
相当于写入该数据
位，此时设备返回到读模式和地址不再锁存。 （请参阅“硬件
序列标记表“中
sCOMMAND
定义）。因此，该装置需要有有效地址，以
该设备可以通过该系统中的时间这个特定实例提供。因此，数据查询，必须执行
在正被编程的存储单元。
在此期间，写入到芯片的任何命令都将被忽略。如果在发生硬件复位
编程操作时，就不可能保证数据被写入。
编程允许以任何顺序和跨越扇区边界。注意的是，一个数据“0”不能
程序返回到“1” 。尝试这样做既可以挂上设备或导致明显的成功
根据数据轮询算法但是从读/复位模式中读出显示中的数据仍然为“0” 。只
擦除操作可以转换成“0”到“1” 。
“1 。嵌入式程序
TM
在算法“
sFlow的
图表显示的嵌入式程序
TM
算法使用
典型的命令字符串和总线操作。
4.芯片擦除
芯片擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是芯片擦除命令进行。
芯片擦除不要求用户在擦除之前对器件进行编程。当执行嵌入式擦除
算法指令序列的设备将自动编程和验证整个存储器的所有
零数据模式之前，电擦除（准备阶段函数） 。该系统不要求提供任何
在这些操作控制或定时。
自动擦除开始的最后一个WE脉冲的命令序列和终止的上升沿
当DQ数据
7
为“1” （见“ 8.写操作状态” 。 ）此时设备返回到读取模式。
芯片擦除时间;扇区擦除时间
×
所有行业+芯片编程时间（预编程）
“ 2 。嵌入式擦除
TM
在算法“
sFlow的
图表显示嵌入式擦除
TM
使用典型的算法
命令字符串和总线操作。
5.扇区擦除
扇区擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是扇区擦除命令进行。部门
地址（所希望的扇区内的任意地址的位置）被锁定在WE的下降沿，而命令
（数据= 30H）被锁定在WE的上升沿。后超时50
s
从最后一个扇区的上升沿
擦除命令后，扇区擦除操作将开始。
多个部门同时可以通过编写六个总线周期操作的“ MBM29LV400TC / 400BC被删除
标准命令定义表“ （ sDEVICE总线操作） 。此序列后面是与写入
扇区擦除命令，在其他部门的地址需要被同时删除。之间的时间
写操作必须小于50微秒，否则该命令将不被接受和擦除开始。这是
推荐该处理器的中断在这段时间内，以保证该状态下被禁用。中断
可以被重新使能的最后扇区擦除命令被写入之后。超时50
s
从上升沿
最后，我们将启动扇区擦除命令（ S）的执行。如果发生了WE的另一个下降沿
内50
s
超时时段的定时器被复位。 （监视器DQ
3
以确定该扇区擦除计时器窗口
仍然是开放的，见DQ
3
，扇区擦除定时器。 ）任何命令比扇区擦除或擦除挂起其他
在此超时周期将所述设备复位到读模式，忽略前面的命令串。
重置设备，一旦执行了该部门开始将损坏的数据。在这种情况下，重新启动擦除
在这些部门，让他们来完成。 （请参阅“ 8.写操作状态”扇区擦除定时器
操作。 ）中的扇区擦除缓冲器可以以任何顺序和以任何数目的扇区（ 0到10）来完成。
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