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富士通半导体
数据表
DS05-20862-8E
FL灰内存
CMOS
4M （ 512K
×
8/256K
×
16 ）位
MBM29LV400TC/BC
-55/70/90
s
特点
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ 1 ） （封装后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）
44引脚SOP （包后缀： PF ）
48引脚南方东英（包后缀： PCV ）
48球FBGA （包后缀： PBT ）
48球SCSP （包后缀： PW ）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
55 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
一个8K字，二4K字，一是16K字，并在字模式7 32K字部门
一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K ，七64K字节，字节的扇区模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
（续）
s
产品阵容
产品型号
电源电压（V）的
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
MBM29LV400 TC / BC
-55
V
V
CC
= 3.3 V
+0.3 V
–0.3
-70
V
CC
= 3.0 V
70
70
30
+0.6 V
–0.3 V
-90
55
55
30
90
90
35
