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LHF16J12
6.2.6替代CE＃ -CONTROLLED WRITES
(1)
符号。
V
CC
= 2.7V - 3.6V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
参数
笔记
分钟。
90
1
0
65
100
100
50
50
0
0
0
25
马克斯。
单位
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
36
t
AVAV
写周期时间
t
PHEL
RP ＃高价回收到CE＃走向低
2
t
WLEL
WE＃安装程序CE＃走向低
t
ELEH
CE＃脉冲宽度
t
佘诗曼
WP ＃ V
IH
安装程序CE＃变高
2
t
VPEH
V
CCW
安装程序CE＃变高
2
t
AVEH
地址设置到CE＃变高
3
t
DVEH
数据建立到CE＃变高
3
t
EHDX
从CE ＃高数据保持
t
EHAX
从CE ＃高地址保持
t
EHWH
WE＃从CE＃高保持
t
EHEL
CE＃脉冲宽高
t
EHRL
CE＃高到RY / BY ＃去低或SR.7去"0"
100
t
EHGL
之前读写恢复
0
t
QVVL
V
CCW
从有效SRD ， RY保持/ BY ＃高Z
2,4
0
t
QVSL
WP ＃ V
IH
从有效SRD ， RY保持/ BY ＃高Z
2,4
0
t
FVEH
BYTE ＃安装程序CE＃变高
5
50
t
EHFV
BYTE ＃持有CE＃高
5
90
注意事项：
1.在系统中CE＃定义写脉冲宽度（长WE＃时序波形内） ，全部建立，保持和不活跃
WE＃倍应测量相对于所述的CE ＃波形。
2.采样，而不是100 ％测试。
3.请参考表4为有效的A
IN
和D
IN
块擦除，整片擦除，字/字节写入或锁定位配置。
4. V
CCW
应在V举行
CCWH1/2
直到确定块擦除，整片擦除，字/字节写入或锁定位
配置成功（ SR.1 / 3 /4/5 = 0）。
5.如果BYTE ＃在读周期切换，独立存在的法规。
修订版1.26
