飞利浦半导体
产品speci fi cation
20 V ， 5 A
NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CRM
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
重复峰值集电极电流
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
注1和2
注2
注3
注4
注5
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
脉冲条件下1.操作：脉冲宽度t
p
≤
10毫秒;占空比
δ ≤
0.2.
储存温度
结温
环境温度
65
65
注1和2
t
p
≤
1毫秒
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PBSS4520X
马克斯。
20
20
5
5
7
10
1
2
2.5
0.55
1
1.4
1.6
+150
150
+150
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W
W
W
单位
°C
°C
°C
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
3.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
4.设备安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘6厘米
2
.
5.设备安装在7厘米
2
陶瓷印刷电路板， 1厘米
2
单面铜和镀锡。对于其他
安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
2004年11月8日
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