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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
9.1.1
清除状态寄存器
状态寄存器（ SR）含有由设备设定状态和错误位。 SR
状态位
由该装置将被清除，但是SR
错误位
通过发出清零
清除状态寄存器命令。重置设备还会清除状态寄存器。
表20 ：清除状态寄存器命令总线周期
命令
设置写周期
地址总线
清除状态寄存器
设备地址
数据总线
0050h
确认写周期
地址总线
---
数据总线
---
在箱子256 Mb的装置（ 2x128 ） ，该命令序列必须重复为每个管芯在它的基地址。
发出清除状态寄存器命令将设备读状态寄存器
模式。
注意：
应当小心，以避免状态寄存器歧义。如果一个指令序列错误
而发生在擦除挂起状态，状态寄存器将指示
通过设置SR4和SR5命令顺序错误。当进行擦除操作是
恢复（并完成） ，可擦除操作过程中发生任何错误
将由命令序列错误被屏蔽。为了避免这种情况，清除
状态寄存器之前，恢复暂停的擦除操作。清除状态
注册指令功能独立于VPEN的电压电平。
9.2
读操作
阵列数据，设备信息， CFI ：四种类型的数据可以从设备读
数据和设备状态。
上电后或回归从复位后，
设备
默认读取阵列模式。
以改变该设备的读取模式下，相应的命令必须被分发给设备。
表21
节目
所述命令代码用于配置设备所需的阅读模式。该
以下各节描述每个读模式。
表21 ：阅读模式命令总线周期
命令
设置写周期
地址总线
读阵列
读状态寄存器
读取设备信息
CFI查询
设备地址
设备地址
设备地址
设备地址
数据总线
00FFh
0070h
0090h
0098h
确认写周期
地址总线
---
---
---
---
数据总线
---
---
---
---
在箱子256 Mb的装置（ 2x128 ） ，该命令序列必须重复为每个管芯在它的基地址。
9.2.1
读阵列
上电后或回归从复位后，
设备
默认读取阵列模式。
发出读阵列
命令将器件置于读阵列模式。后续读取输出数组数据
上的DQ [15：0 ] 。该器件仍然在读阵列模式，直到一个不同的读取命令
发出的，或者被执行的程序或擦除操作，在这种情况下，阅读模式是
自动更改为读状态。
2007年11月
308551-05
数据表
37
