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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
6.2
表8：
直流电压特定网络阳离子
直流电压特性
V
CCQ
V
CC
2.7 - 3.6 V
2.7 - 3.6 V
民
–0.5
2.0
最大
0.8
V
CCQ
+ 0.5V
0.4
单位
V
V
V
V
CC
= V
CC
民
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OL
= 2毫安
V
CC
= V
CC
民
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OL
= 100 A
V
CC
= V
CCmin
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OH
= -2.5毫安
V
CC
= V
CCmin
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OH
= –100 A
2, 5, 6
2, 5, 6
测试条件
笔记
符号
V
IL
V
IH
参数
输入低电压
输入高电压
V
OL
输出低电压
0.2
V
1, 2
0.85
×
V
CCQ
V
OH
输出高电压
V
CCQ
–
0.2
V
笔
锁定程序时，
擦除和锁定位操作
V
笔
在块擦除，编程，
或锁定位操作
V
CC
锁定电压
2.7
2.0
V
1, 2
V
V
PENLK
V
金边
V
LKO
2.2
3.6
V
V
V
2, 3
3
4
注意事项：
1.
包括STS 。
2.
采样，未经100％测试。
3.
块擦除，编程和锁定位配置有抑制作用，当V
笔
≤
V
PENLK
，并不能保证
在V的范围
PENLK
（最大值）和V
金边
（ min），而高于V
金边
（最大值）。
4.
块擦除，编程和锁定位配置有抑制作用，当V
CC
＆ LT ; V
LKO
，并没有在保证
V的范围
LKO
（MIN）和V
CC
（ min），而高于V
CC
（最大值）。
5.
包括设备的所有工作模式包括待机和上电顺序
6.
输入/输出信号可以下冲至-1.0V参考V
SS
并能过冲至V
CCQ
= 1.0V的
为2ns或更少的持续时间，在V
CCQ
有效范围是参考V
SS
.
6.3
表9 ：
符号
C
IN
电容
恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）电容
参数
1
输入电容
32 ， 64 ， 128兆
256 MB
32 ， 64 ， 128兆
256 MB
TYPE
最大
单位
条件
2
V
IN
= 0.0 V
6
12
8
16
8
16
12
24
pF
C
OUT
输出电容
pF
V
OUT
= 0.0 V
注意事项：
1.
采样。未经100％测试。
2.
T
A
= +25 ° C，F = 1兆赫
数据表
22
2007年11月
308551-05
