8XC196MH工业电机控制CHMOS单片机
表19. 8位模式下的A / D特性在额定工作条件（ 1 ）
参数
决议
绝对误差
满量程误差
零点偏移误差
非线性
微分非线性
通道到通道匹配
重复性
温度系数：
OFFSET
满量程
微分非线性
关断隔离
穿心
V
CC
电源抑制
输入串联电阻
在模拟输入引脚电压
采样电容
DC输入漏
3
±
1
0
±
3
– 60
– 60
750
ANGND - 0.5
1.2K
V
REF
+ 0.5
±
0.25
0.003
0.003
0.003
– 60
±
0.5
典型的（ 3 ）
民
256
8
0
最大
256
8
±
1
单元（2）
水平
位
最低有效位
最低有效位
最低有效位
笔记
±
0.5
0
– 0.5
0
0
±
1
+ 0.5
±
1
最低有效位
最低有效位
最低有效位
最低有效位
LSB /
°
C
LSB /
°
C
LSB /
°
C
dB
dB
dB
V
pF
A
4, 5
4
4
6
7, 8
注意事项：
1.测试与V进行
REF
= 5.12 V和F
OSC
= 16兆赫。
2.
LSB ，
如这里使用的，具有大约20 mV的值。
3.典型的值是根据样本的数量有限，并不能保证。工作条件
为典型值是室温和V
REF
= V
CC
= 5.5 V.
4.直流至100千赫。
5.多路先开后合作保证。
从器件的引脚6电阻，通过内部多路复用器，采样电容。
7.这些值可能会超过如果引脚的电流被限制在± 2毫安。
8.应用电压超出这些规范将降低其他渠道是CON-的准确性
verted 。
9.所有的转换进行与处理器处于空闲模式。
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