NB3N551
DC特性
(V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85° C） （注3 ）
符号
I
DD
V
OH
V
OL
V
OH
V
IH ，
I
CLK
V
白细胞介素，
I
CLK
V
IH ，
OE
V
白细胞介素，
OE
ZO
RPU
CIN
IOS
特征
电源电流@ 135 MHz时，无负载，V
DD
= 3.3 V
输出高电压 - 我
OH
=
25
毫安，V
DD
= 3.3 V
输出低电压 - 我
OL
= 25毫安
输出高电压 - 我
OH
=
12
MA（ CMOS电平）
输入高电压，我
CLK
输入电压低，我
CLK
输入高电压， OE
输入低电压， OE
额定输出阻抗
输入上拉电阻， OE
输入电容， OE
短路电流
民
2.4
V
DD
0.4
(V
DD
/2)+0.7
2.0
0
典型值
20
20
220
5.0
±
50
最大
40
0.4
3.8
(V
DD
/2)0.7
VDD
0.8
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V
W
kW
pF
mA
DC特性
(V
DD
= 4.5 V至5.5 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85° C） （注3 ）
符号
I
DD
V
OH
V
OL
V
OH
V
IH ，
I
CLK
V
白细胞介素，
I
CLK
V
IH ，
OE
V
白细胞介素，
OE
ZO
RPU
CIN
IOS
特征
电源电流@ 135 MHz时，无负载，V
DD
= 5.0 V
输出高电压 - 我
OH
=
35
mA
输出低电压 - 我
OL
= 35毫安
输出高电压 - 我
OH
=
12
MA（ CMOS电平）
输入高电压，我
CLK
输入电压低，我
CLK
输入高电压， OE
输入低电压， OE
额定输出阻抗
输入上拉电阻， OE
输入电容， OE
短路电流
民
2.4
V
DD
– 0.4
(V
DD
/2) + 1
2.0
0
典型值
50
20
220
5.0
±80
最大
95
0.4
5.5
(V
DD
/2)
1
V
DD
0.8
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V
W
kW
pF
mA
AC特性
(V
DD
= 3.0 V至5.5 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85° C） （注3 ）
符号
f
in
t
抖动（概率pd ）
t
r
/t
f
t
pd
t
SKEW
输入频率
周期抖动（ RMS ， 1σ ）
输出上升和下降时间; 0.8至2.0V
传播延迟， CLK到Qn ， 0
180兆赫， （注4 ）
输出至输出扭曲; （注5 ）
特征
民
1.5
典型值
2.0
0.5
3.0
50
最大
180
1.0
6.0
160
单位
兆赫
ps
ns
ns
ps
3.输出加载外部R
L
= 33 - W系列电阻器和C
L
= 15 pF到GND正常工作。占空比=出来执勤，一个0.01
mF
去耦电容应连接V之间
DD
和GND 。 A 33
W
串联端接电阻器可以在每个时钟输出用于
如果跟踪误差小于1英寸长。
4.测量具有轨到轨输入时钟。
5.在测量在V上升沿
DD
÷
2.
http://onsemi.com
3
