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K4T56163QI
DDR2 SDRAM
的DQ
Note1
V
DDQ
V
IH （AC）的
民
V
IH（ DC）的
民
V
REF （ DC ）
V
IL （ DC ）
最大
V
白细胞介素（AC）的
最大
V
SS
V
DDQ
TDS
TDH
TDS
TDH
V
IH （AC）的
民
公称
LINE
V
IH（ DC）的
民
DC到V
REF
地区
V
REF （ DC ）
DC到V
REF
地区
V
IL （ DC ）
最大
切线
LINE
切线
LINE
公称
LINE
V
白细胞介素（AC）的
最大
V
SS
ΔTR
切线[V
REF （ DC ）
- VIL（ DC）最大]
ΔTR
ΔTF
持压摆率
上升信号=
保持斜率切线[ VIH （ DC ）分 - V
REF （ DC ）
]
下降的信号=
ΔTF
注： DQS信号必须是单调的VIL（ DC）最大和VIH （ DC）分之间。
图12 - 切线的IIIustration为TDH （单端DQS）
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1.0版2007年10月
