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K4T56163QI
9.0 OCD默认特征
描述
输出阻抗
输出阻抗步长OCD校准
上拉和下拉不匹配
输出压摆率
注意：
1.绝对指标（0°C
≤
T
例
≤
+ 95°C ; VDD = + 1.8V ± 0.1V ， VDDQ = + 1.8V ± 0.1V ）
SOUT
参数
民
喃
最大
DDR2 SDRAM
单位
欧
欧
欧
V / ns的
笔记
1,2
6
1,2,3
1,4,5,6,7,8
普通18ohms
看到充满力量的默认驱动器特性
0
0
1.5
1.5
4
5
输出源的直流电流2.阻抗测量条件： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 1420mV ; （VOUT - VDDQ ） / IOH必须小于23.4欧姆
VOUT的VDDQ和VDDQ- 280MV之间的值。输出汇直流电流阻抗测量条件： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 280MV ;
VOUT /人工晶体必须小于23.4欧姆VOUT的0V和280MV之间的值。
3.失配之间的上拉和下拉的dn绝对值，两者都在相同的温度和电压测量。
4.压摆率从V测
IL
（交流）到V
IH
交流（AC） 。
5，如测得的从AC到AC的转换率，为从直流测量到直流的绝对值等于或大于所述压摆率。这就是瓜拉尼
通过设计和特性开球。
6.这代表当OCD接近18欧姆，在整个过程中都标称条件，代表只有DRAM的不确定性的步长。
输出压摆率负载：
VTT
25欧姆
产量
（VOUT ）
参考
点
7. DRAM输出斜率规范适用于400MB /秒/针， 533MB /秒/针， 667Mb /秒/引脚和800MB /秒/针速度垃圾箱。
8.定时偏移是由于DQS / DQS和相关DQ间的DRAM输出压摆率不匹配包含在TDQSQ和TQHS规范。
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1.0版2007年10月
