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K4B1G04(08/16)46C
11.0输入/输出电容
参数
输入/输出电容
（ DQ ， DM ， DQS ， DQS ， TDQS ， TDQS ）
输入电容
（ CK和CK ）
输入电容三角洲
（ CK和CK ）
输入电容
（所有其他输入专用管脚）
输入电容三角洲
（ DQS和DQS ）
输入电容三角洲
（所有的控制输入专用管脚）
输入电容三角洲
（所有的ADD和CMD输入onlypins ）
输入/输出电容三角洲
（ DQ ， DM ， DQS ， DQS ， TDQS ， TDQS ）
ZQ引脚的输入/输出电容
[表44 ]输入/输出电容
符号
CIO
CCK
CDCK
CI
CDDQS
CDI_CTRL
CDI_ADD_CMD
CDIO
CZQ
DDR3-800
民
1.5
0.8
0
0.75
0
-0.5
-0.5
-0.5
-
最大
3.0
1.6
0.15
1.5
0.2
0.3
0.5
0.3
3
DDR3-1066
民
1.5
0.8
0
0.75
0
-0.5
-0.5
-0.5
-
最大
3.0
1.6
0.15
1.5
0.2
0.3
0.5
0.3
3
DDR3-1333
民
1.5
0.8
0
0.75
0
-0.4
-0.4
-0.5
-
1GB DDR3 SDRAM
DDR3-1600
民
待定
0.8
0
0.75
0
-0.4
-0.4
-0.5
-
最大
待定
1.4
0.15
1.3
0.15
0.2
0.4
0.3
3
最大
2.5
1.4
0.15
1.3
0.15
0.2
0.4
0.3
3
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
1,2,3
2,3,5
2,3,4
2,3,6
2,3,12
2,3,7,8
2,3,9,10
2,3,11
2, 3, 13
注意：
1.虽然DM ， TDQS和TDQS ＃引脚具有不同的功能，负载匹配DQ和DQS
2.此参数是不受生产测试。它是由设计和特性验证。
电容根据JEP147 （ "PROCEDURE用于测量输入电容采用矢量网络测量
分析仪（VNA ） " ）与VDD ， VDDQ ， VSS ， VSSQ应用，并且所有其他引脚浮动（除待测管脚， CKE ， RESET必要＃和ODT ） 。
VDD = VDDQ = 1.5V ， VBIAS = VDD / 2和片上终结了。
3.此参数仅适用于单片器件;堆叠/双芯片的设备不在这儿
对CCK- CCK ＃ 4绝对值
CIO 5.绝对值（ DQS ） -CIO （ DQS ＃ ）
6. CI适用于ODT ， CS ＃ ， CKE ， A0 -A15 ， BA0 - BA2 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ 。
7. CDI_CTRL适用于ODT ， CS ＃和CKE
8. CDI_CTRL = CI （ CTRL ） -0.5 * （ CI （ CLK ） + CI （ CLK ＃ ） ）
9. CDI_ADD_CMD适用于A0 -A15 ， BA0 - BA2 ， RAS ＃ ， CAS ＃和WE ＃
10. CDI_ADD_CMD = Cl （ ADD_CMD ） - 0.5 * （CI （CLK） + CI （CLK ＃ ） ）
11. CDIO = CIO （ DQ ， DM ） - 0.5 * （ CIO （ DQS ） + CIO （ DQS ＃ ） ）
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1.0版2007年6月
