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K4B1G04(08/16)46C
10.0 IDD规格参数和测试条件
10.1 IDD测量条件
1GB DDR3 SDRAM
内提供了进一步的向下的表，对国际长途测量条件的概述被提供如下：
[表30]表提供IDD测量条件和DRAM行为概述
表号
表34
表35
表36
表37
表38
表39
表40
测量条件
IDD0和IDD1
IDD2N ， IDD2Q ， IDD2P （0）， IDD2P （1）
IDD3N和IDD3P
IDD4R ， IDD4W ， IDD7
IDD7对不同速度等级，不同TRRD ， tFAW条件
IDD5B
IDD6 ， IDD6ET
在约IDD测量条件表中，使用以下定义：
LOW定义为V
IN
< = V
ILAC
（最大） ;高被定义为V
IN
> = V
IHac
（分钟） ;
稳定被定义为输入被稳定在高电平或低电平
浮动是指输入是V
REF
= V
DDQ
/ 2
开关被定义为在下面的表2中描述。
[表31]切换的地址和命令输入信号的定义
切换的地址（行，列）和指令信号（ CS ， RAS ， CAS ， WE）被定义为：
地址
（行，列）：
如果没有另外提到的输入是稳定在高电平或低电平期间， 4个时钟
然后更改为相反的值
（例如斧斧斧斧斧斧.....
请检查各IDDx定义详细信息
如果没有另外提到的存储体地址的切换一样，行/
列地址 - 请各IDDx定义详细信息
定义D = { CS ， RAS ， CAS，WE } = {高，低，低，低}
定义D = { CS ， RAS ， CAS，WE } = {高，高，高，高}
命令
（ CS ， RAS ， CAS ， WE） ：
命令定义背景图案= DDDDDDDDDDDD ...
如果其他命令是必要的（如ACT的IDD0或读为IDD4R ）的
背景图案命令由各自的CS ， RAS ， CAS，WE取代
必要的命令的级别。
看到每个IDDx定义的细节和数字1,2,3为例。
银行地址：
[表32] （ DQ）的切换的数据定义
切换的数据（ DQ ）定义为
数据
（DQ）
数据屏蔽
（ DM ）
数据DQ针对DQ信号HIGH和LOW所有其他数据传输（每时钟周期一次）之间不断变化，这意味着
数据DQ稳定在一个时钟;看到每个IDDx定义此规则的例外，并为进一步的细节。
参见图1,2,3为例。
无须切换; DM必须驱动为低电平所有的时间
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1.0版2007年6月
