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NBSG16M
V
CC
V
CC
VTD
50
W
D
D
50
W
VTD
V
BB
16毫安
V
EE
V
EE
50
W
50
W
Q
Q
50
W
50
W
Q
Q
图2.逻辑图
图3. CML输出结构
表2.接口选择
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL , PECL , NECL
LVTTL , LVCMOS
连接
连接VTD和VTD到V
CC
连接VTD和VTD一起
偏置VTD和VTD内输入(V
IHCMR
)
共模范围
标准ECL终止技术
外部电压应当施加到
未使用的互补差分输入。
额定电压1.5 V的LVTTL和V
CC
/ 2为
LVCMOS输入。
表3,属性
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
价值
& GT ; 1千伏
& GT ; 100 V
& GT ; 4千伏
无铅PKG
LEVEL 1
湿气敏感度,不定超时Drypack (注4 )
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
氧指数:28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
145
4.其它湿度敏感的信息,请参考应用笔记AND8003 / D 。
http://onsemi.com
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