NBSG16
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0 V （注4 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注5 ）
输出电压幅值
输入高电压
（单端） （注6 ）
输入低电压
（单端） （注6 ）
PECL输出电压参考值
输入高电压通用
模范围（注7 ）
（差分配置）
CMOS输出电压参考值
V
CC
/2
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
17
1450
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
典型值
23
1530
410
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1140
最大
29
1575
525
V
CC
V
THR
75毫伏
1200
2.5
民
17
1525
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
25°C
典型值
23
1565
410
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1140
最大
29
1600
525
V
CC
V
THR
75毫伏
1200
2.5
民
17
1550
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
85°C
典型值
23
1590
410
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1140
最大
29
1625
525
V
CC
V
THR
75毫伏
1200
2.5
单位
mA
mV
mV
V
V
mV
V
V
MM
R
TIN
I
IH
I
IL
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
mV
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
*用于测试目的的标准结构。
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.965 V.
5.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
6. V
THR
时的电压施加到互补输入，通常为V
BB
或V
MM
.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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