NCN6010
供电部分
（ -255C至+ 855C ）
等级
电源
待机电流@无输入时钟，所有的输入
逻辑H，无负载连接到SIM接口。
接地电流， @ V
DD
= 3.0 V，工作条件：
PWR_ON = 0
SIM_VCC = 5.0 V，I
CC
= 0毫安
SIM_VCC = 5.0 V，I
CC
= 10 MA（注2 ）
SIM_VCC = 3.0 V，I
CC
= 0毫安
SIM_VCC = 3.0 V，I
CC
= 6.0毫安（注2 ）
外置卡电源5.0 V
@ 2.7 V
v
V
DD
v
3.6 V，I
CC
= 10毫安
外置卡电源3.0 V
@ 2.7 V
v
V
DD
v
3.6 V，I
CC
= 10毫安
输出SIM卡电源电压接通时间
克拉= 220 nF的， COUT1 = 1.0
mF
"20%
V
DD
= 3.0 V， SIM_VCC = 5.0 V
V
DD
= 3.0 V， SIM_VCC = 3.0 V
输出SIM卡电源电压关闭时间
克拉= 220 nF的， COUT1 = 1.0
mF
"20%
（注3）
V
DD
= 2.7 V ， SIM_VCC = 5.0 V ， @ V
低
= 0.4 V
V
DD
= 2.7 V ， SIM_VCC = 3.0 V， @ V
低
= 0.4 V
输出电压纹波（注4 ）
克拉= 220 nF的， COUT1 = 1.0
MF，
COUT2 = 100 nF的
V
DD
= 3.0 V， SIM_VCC = 5.0 V，I
CC
= 10毫安
（不相关的SIM_VCC = 3.0 V）
输入峰值电流在DC-DC启动
@ V
DD
= 3.0 V， SIM_VCC = 5.0 V
输入平均电流在正常工作时，
@ V
DD
= 3.0 V， SIM_VCC = 5.0 V
DC-DC内部振荡器
符号
V
DD
I V
DD
I V
DD
针
1
1
1
民
2.7
5.0
125
200
25
40
SIM_VCC
14
4.5
V
DD
= 50毫伏
VCC
吨
14
1.0
0.5
VCC
花花公子
14
300
300
VCC
愿（死者）安息
14
200
I
DDpk
I
DDavg
FOSC
1
1
300
20
800
mA
mA
千赫
mV
ms
V
DD
= 25 mV的
5.5
V
DD
ms
V
典型值
500
最大
3.6
单位
V
nA
mA
2.我
DD
电流表示由负载和一个由芯片吸收所吸收的电流之间的绝对差。
3. A 350
ms
延迟必须通过重新激活SIM_VCC之前输出所述外部MPU的被观察到。
4.使用低ESR的电容型（最大100毫瓦），是强制性的CT， COUT1和COUT2达到NCN6010规范。陶瓷类
（ X5R或X7R ）建议。
数字输入部分时钟，复位， I / O ， STOP ， MOD_VCC ， PWR_ON
等级
高电平输入电压
低电平输入电压
输入上升时间
输入下降时间
输入电容
输入@ 45 ％ <占空比< 55 ％
时钟上升时间
时钟下降时间
输入时钟电容
输入/输出数据传输频率
I / O上升时间
I / O下降时间
输入的I / O容量
符号
V
IH
V
IL
tr
tf
CIN
时钟
针
2, 3
4, 5
6, 7
民
0.7 * V
DD
典型值
最大
V
DD
0.3 * V
DD
50
50
10
5.0
50
50
10
160
0.8
0.8
10
单位
V
V
ns
ns
pF
兆赫
ns
ns
pF
千赫
ms
ms
pF
6
I / O
5
15
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5
