NCN6010
很显然，具有近电阻的一半的欧姆是
系列与纯电容器，钽或电解
式会产生高电压尖峰和调节差
内置在高频操作电荷泵
NCN6010 。此外，与ESR的3.0欧姆范围，低
成本电容器不适合于这种应用。
图11提供了模拟的示意图
电荷泵电路。虽然这个原理不
+
R3
0.5 R
+
电池组
IC = 0
代表NCN6010的精确的内部结构，它
可用于工程目的。反导设备S1 ，
S2 ，S4和S5中的PSPICE模型到已定义
表示在硅中使用的NMOS和PMOS 。该
C2和C3的ESR的值可以调节，在PSPICE水平，
以应付任何类型的外部电容和是有用
仔细检查系统的行为作为的函数
外部无源组件。
V1
275 V
C1
4.7
mF
R1
0.1 R
S1
+ +
S
V
关闭
= 0.0 V
V
ON
= 1.0 V
S2
+ +
C3
220 nF的
R4
0.05 R
S4
+ +
S
V
关闭
= 2.0 V
V
ON
= 0.0 V
传输电容
S5
+ +
S
V
ON
= 1.0 V
V
关闭
= 0.0 V
U2A
1
V1 = 0
V2 = 3
TD = 10纳秒
+
TR = 10纳秒
TF = 10纳秒
PW = 600纳秒 -
PER = 1200 NS
2
1
2
74HC14
U1A
3
74HC08
S
V
关闭
= 2.0 V
V
ON
= 0.0 V
C2
1
mF
负载
E5
R5
500 R
R2
0.1 R
V2
U3A
2
1
OUT + IN +
OUT- IN-
安勤
如果（ V（ ％ IN + ， ％ IN-） > 80毫伏， 5 ， 0 ）
+
74HC14
V3
5.0 V
图11.电荷泵模拟示意图
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