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NCN6000
VBAT电源电压监视
内置比较器，与所述带隙相关联
基准，持续监控+ VBAT输入引脚。中
在启动时，所有的NCN6000功能被禁用，并
没有数据传输可以进行。当+ Vbat的电压上升
以上2.35 V（典型值） ，该芯片被激活并且所有的
功能变得可用。典型的行为是
这里提供的图16之后在这一点上，内部
上电复位信号被激活（不能访问
外部）和所有的逻辑信号被压入状态
由表3中所定义的。
如果+ Vbat的电压低于2.25 V（典型值）时
在操作中， NCN6000产生一个关机
序列，并被迫在一个无操作模式。内置
100 mV（典型值）的滞后避免了运行不稳定时，
电池电压变化缓慢绕2.30 V.
另一方面，微控制器可以读取的
状态信号，管脚5，事先控制电池的状态
推出无论是NCN6000编程或ATR
序列（表4） 。
3.30 V
2.80 V
2.35 V
2.25 V
VBAT
Vbat_OK
VBAT状态
注：该图未按比例和电压都是典型的。
见规格的数据的详细信息。
图16.典型的Vbat的监控
DC-DC转换器操作
内置的DC-DC转换器是基于改性的
提高结构覆盖整个电池和存储卡的操作
电压范围。内置的电池电压监视提供
一种自动系统，以适应操作模式
无论是VBAT和CRD_VCC电压。比较
U3 /图17跟踪两个电压和设置
相应的操作模式。
V
BAT
20
V
BAT
电流检测
V
BAT
U1
+
R1
1R
19
L
out_H
L2
22
mH
18
15
L
OUT_L
CRD_VCC
C1
R2
+
U3 V
BAT
/V
CC
比较GND
+
GND
PWR_ON
逻辑控制
3 V/ 5 V
超载
Vcc_OK
MOS驱动器
Substrat偏差
NMOS的栅极驱动器
Q1
GND
V
BAT
电压调节
U2
+
GND
GND
GND
R3
Q4
Q2
GND
PMOS栅极驱动器
V
REF
Q3
R4
GND
V
REF
_3/5 V
V
OUT
_3_5
有源上拉下来
17 PWR_GND
图17.基本的DC- DC结构
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