超低噪声
赝HJ FET
（ SPACE合格）
特点
超低噪声指数：
NF = 0.6 dB（典型） ，在f = 12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
3
G
A
NE24200
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
24
L
G
= 0.25
m,
W
G
= 200
m
2
18
1.5
15
描述
该NE24200是一个伪形态异质结场效应晶体管芯片
它利用Si掺杂的AlGaAs和之间的结
未掺杂的InGaAs创建一个二维电子气
层具有非常高的电子迁移率。该设备的特点
蘑菇状TiAl金属门为降低栅极电阻
和改进的功率处理能力。蘑菇
栅极导致较低的噪声指数和高相关的增益为
空间应用。
NEC严格的质量保证和测试程序AS-i
确保最高的可靠性和性能。
1
12
0.5
NF
9
0
1
10
20
30
6
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
OPT1
参数和条件
最佳的噪声系数在V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
在V相关的增益
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 12 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
增益P
1dB
中，f = 12 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
饱和漏极电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
DS
= 100
A
跨在V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
门源漏电流在V
GS
= -3 V
热电阻（通道到案例）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
15
-2.0
45
民
NE24200
00 （ CHIP ）
典型值
0.35
0.6
16.0
11.0
9.5
11.0
11.8
12.8
40
-0.8
60
0.5
10
260
70
-0.2
最大
0.7
G
A1
10.0
P
1dB
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH(CH-C)2
注意事项：
1.射频性能是通过包装来确定，测试10个样本每片晶圆。晶片拒绝标准对标准器件为2次品10
样品。
2.芯片安装在无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
高相关的增益：
G
A
= 11.0分贝典型的在f = 12 GHz的
2.5
21
