超低噪声HJ FET
NE33284A
特点
超低噪声指数：
0.8分贝一般在12 GHz的
高相关的增益：
10.5分贝一般在12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
1.4
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
24
1.2
G
A
1
21
GATE长度：
0.3
m
门宽：
280
m
低成本金属/陶瓷封装
TAPE &卷轴包装选项中提供
18
0.8
15
0.6
12
0.4
NF
0.2
9
描述
该NE33284A是一个异质结型场效应管，它使用结
Si掺杂的AlGaAs和未掺杂的InGaAs创造非常的
高流动性电子。该器件具有蘑菇状
TiAl金属门为降低栅极电阻和改进的电源
处理能力。蘑菇门还导致较低的
噪声指数和高相关的增益。此装置被安置在
环氧密封，金属/陶瓷封装，用于
大批量消费类和工业应用。
6
0
1
10
20
3
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
选择
1
G
A
1
P
1dB
参数和条件
最佳的噪声系数，V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10 mA时， F = 12 GHz的
F = 4 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10 mA时， F = 12 GHz的
F = 4 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 12 GHz的
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 20毫安
增益P
1dB
中，f = 12 GHz的
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 20毫安
饱和漏极电流，V
DS
= 2.0 V,V
GS
= 0 V
夹断电压，V
DS
= 2.0 V，I
DS
- 0.1毫安
跨导，V
DS
= 2.0 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -3.0 V
热电阻（通道到环境）
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
° C / W
15
-2.0
45
9.5
13.0
民
NE33284A
84AS
典型值
0.75
0.35
10.5
15.0
11.2
12.0
10.8
11.0
40
-0.8
70
0.5
630
280
310
10.0
80
-0.2
最大
1.0
0.45
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
第（章-a）的
R
TH （ CH -C ） 2
注意事项：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -无go"筛选调谐为"generic"类型，但不为每个试样。
2. R
TH
（信道情况下）的包安装在一个无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
