NE325S01
推荐焊接条件
在以下情况（见下表）必须焊接本产品时得到满足。
请在其他情况下，焊接过程中我们的销售办事处咨询时，或在焊接下进行
不同的条件。
＆ LT ;表面贴装元件＆gt种类;
欲了解更多详情，请参阅我们的文档“半导体设备安装技术手册”
(C10535E).
焊接工艺
红外线回流
焊接条件
峰值包的表面温度： 230℃或以下，
回流时间：30秒或以下（210 ℃以上） ，
回流焊工艺数：1 ，暴露限制
记
：无
端子温度： 230℃或以下，
流动时间：10秒或以下，
接触限值
记
：无
符号
IR30-00
局部加热法
记
干后包封装在焊接之前曝光的限制被打开。
储存条件： 25℃和相对湿度在65 ％以下。
注意：不要使用超过单个进程一次，除了“局部加热的方法” 。
注意事项
避免高静态电压和电场，因为该装置是异质结场效应
晶体管，肖特基势垒门。
9
