NPN硅晶体管RF
NE662M04
NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽：
f
T
= 25 GHz的
低噪声系数：
NF = 1.1分贝2 GHz的
最大稳定增益：
20分贝在f = 2 GHz的
新LOW PROFILE M04包装：
SOT- 343的足迹，与刚刚0.59毫米高度
为更好的RF性能扁平引线型
M04
描述
NEC的NE662M04正在使用NEC的UHS0 25 GHz的F制造
T
晶圆工艺。为25千兆赫的典型转变的频率
NE662M04是在从100MHz到10GHz的应用中使用。该NE662M04提供了出色的低电压/低电流
性能。
NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M04"封装非常适合当今的便携式无线应用。该NE662M04是一个理想的选择
在所有的移动通信系统的LNA和振荡器的需求。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
正向电流增益
2
在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 30 mA时， F = 2 GHz的
最大可用功率增益
4
在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
最大稳定增益
5
在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2千兆赫，Z
IN
= Z
选择
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
三阶截点在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
反馈电容
3
在V
CB
= 2 V，I
C
= 0中，f = 1 MHz的
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
14
单位
nA
nA
50
20
70
25
20
20
17
1.1
11
22
0.18
0.24
1.5
民
NE662M04
2SC5508
M04
典型值
最大
200
200
100
DC
I
EBO
h
FE
f
T
MAG
味精
|S
21E
|
2
NF
P
1dB
IP
3
CRE
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
3.电容由电容计（自动平衡电桥法）时，发射极管脚被连接到防护针测量。
4. MAG = S
21
(
K- (K
2
-1)
)
S
12
5.味精= S
21
S
12
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发表日期： 2005年6月22日
RF
