砷化镓MESFET
L到S波段低噪声放大器
特点
低成本微型塑料包装
(SOT-343)
低噪声系数：
0.8分贝一般在2 GHz
高相关的增益：
13.5分贝一般在2 GHz
L
G
= 1.0
m,
W
G
= 400
m
= &带卷盘包装
4
NE76118
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
20
G
A
噪声系数NF （ dB）的
3
15
10
2
5
0
描述
该NE76118是一种低成本砷化镓金属semicon-
装在一个微型导体场效应晶体管（ SOT- 343）
塑料表面贴装封装。该器件采用制造
离子注入，以提高RF和DC性能，可靠性
能力和均匀性。它的低噪声系数，增益高，体积小
尺寸和重量使它成为理想的低噪声放大器的晶体管
在1-4 GHz的频率范围内。该NE76118适合
GPS， PCS ， WLAN ， MMDS ， TVRO及其他商业
应用程序。
NEC严格的质量保证和测试程序恩
确保最高的可靠性和性能。
1
NF
0
0.5
1
2
3
4
5 6 7 8 910
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
参数和条件
噪声系数在V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
在V相关的增益
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 2 GHz的
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 3 V，I
DS
= 30毫安
增益P
1dB
， F = 2 GHz的
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 3 V，I
DS
= 30毫安
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 3 V，I
D
= 100
A
跨在V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流在V
GS
= -5 V
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
30
-3.0
20
45
10
民
NE76118
18
典型值
0.8
0.9
13.5
10.5
12
14
13
14
100
-0.5
最大
1.4
G
A
9.5
P
1dB
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
注意：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
与调谐的"generic"类型，但不为每个试样夹具一个"go -无go"筛分试验。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
25
